Intel 18A-P进入试产:已确认的PPA改进与未披露的细节边界
Intel宣布18A-P制造工艺已进入测试/风险生产阶段。三源共同确认的核心事实是:该节点基于18A继续推进,并被描述为在功耗、性能和面积(PPA)方面优于18A;其中一则信源给出具体数值,称其在相同功耗下性能提升9%,功耗降低18%。关于GAA与背面供电(BSPD/Backside Power Delivery)技术的增强,也有信源提及。至于事件摘要中提到的PowerBoost、0.5V、CFET及更广泛路线图,均无法从给定信源中确认。