L’équipe de l’Université de Hong Kong publie une étude sur une puce neuromorphique à basse température : des transistors en SiC peuvent simuler des impulsions neuronales à 10 mK
Une équipe de l’Université de Hong Kong a annoncé, à propos d’un article publié dans Nature Communications, avoir mis au point dans des MOSFET en carbure de silicium (SiC) un circuit neuromorphique capable de fonctionner dans des environnements à très basse température. Un seul transistor peut simuler un comportement d’« impulsion » neuronale, avec des applications évoquées pour le contrôle de l’informatique quantique et les systèmes électroniques d’exploration spatiale lointaine. Trois sources concordent fortement sur le titre de l’article, le matériau, les responsables de l’étude et le fait central d’un comportement NDR/impulsion à basse température ; en revanche, l’affirmation de « première mondiale » et l’étendue précise des applications relèvent d’un langage promotionnel variable, sans données supplémentaires quantifiables fournies par les sources.